| 主权项 |
1.一种半导体晶圆之制造方法,其特征为具有:镜面研磨至原料晶圆之背面的倒角部边界的面内侧之一部份而进行背面部份研磨及镜而倒角的背面部份研磨镜面倒角工程;及支持背面部份研磨及镜面倒角之晶圆的背面,以镜面研磨该晶圆之表面的表面研磨工程。2.一种半导体晶圆之制造方法,其特征为具有镜面研磨原料晶圆之背面的倒角部边界的面内侧之一部份的背面部份研磨工程;及支持背面部份研磨之晶圆的背面,以镜面研磨该晶圆之表面的表面研磨工程。3.如申请专利范围第2项记载之半导体晶圆之制造方法,其中,另外具有镜面倒角加工上述背面部份研磨之晶圆的镜面倒角工程,以镜面研磨经过镜面倒角之晶圆的表面。4.如申请专利范围第1项记载之半导体晶圆之制造方法,其中,上述原料晶圆系经过硷性蚀刻之晶圆。5.如申请专利范围第2项记载之半导体晶圆之制造方法,其中,上述原料晶圆系经过硷性蚀刻之晶圆。6.如申请专利范围第3项记载之半导体晶圆之制造方法,其中,上述原料晶圆系经过硷性蚀刻之晶圆。7.一种半导体晶圆之制造方法,其特征为由以下工程所形成:将单结晶棒切断为薄板状之晶圆的切片工程;及倒角加工所获得之晶圆的第1倒角工程;及对于倒角加工之晶圆施以研光处理之研光工程;及对被施以研光处理之晶圆再度施以倒角加工之第2倒角工程;及对被施以再度之倒角加工的晶圆施以硷性蚀刻处理之蚀刻工程;及对于被施以蚀刻处理之晶圆,镜面研磨至晶圆背面的倒角部边界的面内侧之一部份而进行背面部份研磨及镜面倒角之背面部份研磨镜面倒角工程;及支持经过背面部份研磨及镜面倒角之晶圆的背面,以镜面研磨该晶圆的表面之表面研磨工程所形成。8.一种半导体晶圆之制造方法,其特征为具有:将单结晶棒切断为薄板状之晶圆的切片工程;及倒角加工所获得之晶圆的第1倒角工程;及对于倒角加工之晶圆施以研光处理之研光工程;及对被施以研光处理之晶圆再度施以倒角加工之第2倒角工程;及对被施以再度之倒角加工的晶圆施以硷性蚀刻处理之蚀刻工程;及镜面研磨被施以蚀刻处理之晶圆的背面的倒角部边界的面内侧之一部份之背面部份研磨工程;及支持经过背面部份研磨之晶圆的背面,以镜面研磨该晶圆的表面之表面研磨工程。9.如申请专利范围第8项记载之半导体晶圆之制造方法,其中,另外具有镜面倒角加工上述背面部份研磨之晶圆的镜面倒角工程,以镜面研磨经过镜面倒角之晶圆的表面。10.如申请专利范围第1~9项中任一项所记载之半导体晶圆之制造方法,其中,镜面研磨上述晶圆之背面的倒角部边界之面内侧的一部份之范围,系由晶圆倒角部和主面之边界起朝向晶圆中心为1000m以下。11.如申请专利范围第1~9项中任一项所记载之半导体晶圆之制造方法,其中,在上述表面研磨工程中,以蜡接着上述晶圆之背面,以镜面研磨该晶圆的表面。12.如申请专利范围第10项记载之半导体晶圆之制造方法,其中,在上述表面研磨工程中,以蜡接着上述晶圆之背面,以镜面研磨该晶圆的表面。13.一种晶圆,是针对晶圆表面为经过镜面研磨之面,晶圆背面为经过硷性蚀刻之面的晶圆,其特征为:设晶圆背面之倒角部边界的面内侧之一部份为镜面研磨面,该镜面研磨面系由晶圆倒角部和主面的边界起朝向晶圆中心为500m~700m之范围。14.如申请专利范围第13项记载之晶圆,其中,上述晶圆背面的光泽度为405%,晶圆之SFQRmax(Site Front LeastSquares Range:区分段正面最小平方范围)为0.11m以下。图式简单说明:第1图系显示本发明之半导体晶圆之制造方法的工程顺序之1例的流程图。第2图系显示本发明之半导体晶圆之制造方法的工程顺序之其他例的流程图。第3图系显示实施例1及2以及比较例1之原料晶圆形状以及研磨后的晶圆形状之曲线以及等高线图。第4图系显示镜面倒角装置之1例的侧面概略说明图。第5图系显示研磨装置之1例的侧面概略说明图。第6图系显示依据本发明方法所研磨之晶圆的说明图,(a)系显示晶圆表面及(b)系显示晶圆背面。第7图系显示以往之半导体晶圆之制造方法之工程的1例之流程图。 |
