| 主权项 |
1.一种发光材料,包括一主体高分子材料及一染料分子,该染料分子为具有卤基之C545T,其中该主体高分子材料之能量间隙高于该染料分子之能量间隙,且该染料分子系耦合至该主体高分子材料之末端,于该发光材料受激发时,而将能量由该主体高分子材料转移至该染料分子,由该染料分子进行发光机制。2.根据申请专利范围第1项之发光材料,其中该主体高分子材料末端包含卤基(halo group),并以卤基耦合之方式与该具有卤基之C545T相接合。3.根据申请专利范围第2项之发光材料,其中该卤基为溴基(bromo group)。4.根据申请专利范围第1项之发光材料,其中该主体高分子材料为一具末端卤基之茀(fluorene)的聚合物或寡聚物。5.根据申请专利范围第1项之发光材料,其中该具有卤基之C545T包含一苯基溴(phenyl bromide)。6.根据申请专利范围第5项之发光材料,其中该主体高分子材料之发光波长为蓝光波长,而该染料分子之发光波长为绿光波长。7.一种发光元件,包括:一电极对,包含一阳极与一阴极,其中至少其一具有光穿透性;一电洞传输层,位于该电极对之间,与该阳极相邻;一电子传输层,位于该电极对之间,与该阴极相邻;以及一发光材料层,由一主体高分子材料接合一染料分子所形成,该染料分子为一具有卤基之C545T,该发光材料层系位于该电洞传输层与电子传输层间,该发光材料层因一电流注入,而将能量由主体高分子材料转移至该染料分子,由该染料分子进行发光机制。8.根据申请专利范围第7项之发光元件,更包括一透光基板,且该电极对中之阳极系为一透光电极,与该透光基板相邻。9.根据申请专利范围第8项之发光元件,其中该透光基板系一玻璃基板,而该透光电极系一氧化铟锡(ITO)电极。10.根据申请专利范围第7项之发光元件,其中该主体高分子材料末端包含卤基,并以卤基耦合之方式与该具有卤基之C545T相接合。11.根据申请专利范围第7项之发光元件,其中该主体高分子材料为一具末端溴基之茀(fluorene)聚合物或寡聚物。12.根据申请专利范围第7项之发光元件,其中该染料分子为具苯基溴之C545T。13.根据申请专利范围第12项之发光元件,可发出绿光。14.根据申请专利范围第7项之发光元件,可为被动式OLED元件。15.根据申请专利范围第7项之发光元件,可为主动式OLED元件。16.根据申请专利范围第7项之发光元件,可为主动式下发光(Bottom emission)OLED元件。17.根据申请专利范围第7项之发光元件,可为主动式上发光(Top emission)OLED元件。18.一种发光材料之制造方法,包括下列步骤:提供一末端具有卤基之染料分子,该染料分子为一C545T;以及提供一具有卤基之单体,进行一聚合反应,控制其反应时间,于该单体聚合至适当分子量之具有末端卤基之一高分子化合物时,加入该染料分子,使反应生成一具有高分子主体与染料分子之发光材料。19.根据申请专利范围第18项之方法,其中该染料分子具有第一发光波长,而该高分子化合物具有第二发光波长,其中该第二发光波长小于该第一发光波长。20.根据申请专利范围第18项之方法,其中该具有末端卤基之染料分子系为具有一末端苯基溴之C545T。21.根据申请专利范围第18项之方法,其中该含卤基单体系一2,7-二溴基-9,9-二正辛基茀(2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene)。22.根据申请专利范围第18项之方法,其中该高分子化合物为一聚合物或一寡聚物。图式简单说明:第一图为一般电激发光元件之剖面示意图。第二图为一般聚(9,9-二正辛基茀-2,7"-二基)之萤光光谱图。第三图为本发明发光材料,具有C545TPBr末端接合之聚(9,9-二正辛基茀-2,7"-二基)之萤光光谱图。 |
