发明名称 |
半导体器件和用于测试半导体器件的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体器件和用于测试半导体器件的方法。半导体器件结合有产生第一和第二互补信号的控制器,以及根据第一和第二互补信号进行操作的存储器。该方法包括有选择地将第一和第二互补信号切换到具有互补信号的中间电势的中间电势信号。该方法还包括利用第一和第二互补信号以及中间电势信号,对第二器件执行操作测试。该方法能够检测器件之间的缺陷连接。 |
申请公布号 |
CN1841075A |
申请公布日期 |
2006.10.04 |
申请号 |
CN200510084282.9 |
申请日期 |
2005.07.15 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
月城玄 |
分类号 |
G01R31/28(2006.01);G01R31/26(2006.01) |
主分类号 |
G01R31/28(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
赵淑萍 |
主权项 |
1.一种用于测试半导体器件的方法,所述半导体器件结合有第一器件(3)和第二器件(4),所述第一器件产生彼此互补的第一互补信号(CLK)和第二互补信号(/CLK),所述第二器件被连接到所述第一器件,并且根据所述第一和第二互补信号进行操作,所述方法其特征在于:有选择地将所述第一和第二互补信号切换到具有所述第一和第二互补信号的中间电势的中间电势信号(MLS);并且利用所述第一和第二互补信号中一个和所述中间电势信号对所述第二器件执行操作测试。 |
地址 |
日本神奈川县 |