利用核径迹技术制造场发射真空微电子器件及显示器

摘要

本发明公开了一种利用核径迹蚀刻技术制造场发射真空微电子器件及显示器的工艺和结构。利用本发明的方法，不仅材料易得，工艺简单，参数容易控制，集成度高，更适宜于大规模连续生产，成本较低。在结构上不仅可以制成大平面的平板形器件及显示器，而且可以制成大面积薄膜形器件及显示器。本发明的主要技术方案是：利用一定能量的粒子束辐照并贯穿基体，这个基体是电介质材料或者是由电介质和导电材料相间复合而成的薄膜或平板。当粒子通过电介质时，在其径迹附近形成局部改性，因此可蚀刻成各种所需形状的锥孔，经沉积填充、再蚀刻等工艺，制成具有电子发射、传输的组合器件。

主权项

1.一种场发射真空微电子器件，它由场发射极、栅极、支柱、阳极组件在真空条件下密封组装而成，本发明技术特征是有一个基体，这个基体是由电介质和导电材料相间复合而成的薄膜或平板，电介质作为极间支撑，导电材料作为栅极，在这个基体上至少有一个电子发射区，电子发射区中至少有一个锥形的、端部尖锐的场发射极，场发射极至少由一层电子发射材料制成，场发射极部分埋在场发射极和栅极的极间支撑A中，仅发射极的尖端部份暴露在场发射极和栅极的极间支撑A的电子束通道中，电子发射区中场发射极的根部用导电材料连接，并和场发射极控制电路连接，对应每个场发射极在基体中由导电材料制成的栅极上有一个电子束通道孔，在基体中由电介质制成的极间支撑B上也都有电子束通道，它们和阳极组件在真空状态下密封组装而成。