| 摘要 |
本发明提供一种SiC单晶（2a），其包括作为受体之第一掺杂剂及作为予体之第二掺杂剂，其中该第一掺杂剂之含量系不低于5×10^15个原子／立方厘米，该第二掺杂剂之含量系不低于5×10^15个原子／立方厘米，且该第一掺杂剂之含量大于该第二掺杂剂之含量。本发明提供一种制造碳化矽单晶（2a）之方法，其具有以下步骤：藉由将金属硼化物与包括碳及矽之材料混合来制备原料（2）；汽化该原料（2）；产生包括碳、矽、硼及氮之混合气体；及藉由使该混合气体在晶种基板（1）之表面上再结晶，而在该晶种基板（1）之表面上成长包括硼及氮的碳化矽单晶（2a）。 |
