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发明名称 HIGH VOLTAGE SIC SCHOTTKY DIODE DEVICE WITH DOUBLE OXIDE LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR20060081477(A) 申请公布日期 2006.07.13
申请号 KR20050001813 申请日期 2005.01.07
申请人 KOREA ELECTRO TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 发明人 BANG, WOOK;KIM, SANG CHEOL;KIM, NAM KYUN;KIM, HYEONG WU;SEO, KIL SU;KIM, KI HYEON;KIM, EUN DONG
分类号 H01L29/872;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/324 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
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