| 发明名称 | 多透射相位掩模及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多透射相位掩模及制造该多透射相位掩模的方法。该方法包括在透光衬底上形成光屏蔽层后首次构图光屏蔽层，通过使用首次构图的光屏蔽层蚀刻透光衬底至预定深度形成半导体的多个图案区域，以及二次构图光屏蔽层并在半导体的邻近的图案区域之间形成移相区域，使得透光衬底的在半导体的邻近的图案区域之间的表面的预定部分暴露于外界。每个图案区域提供180°相位延迟，而图案区域之间的间隙提供0°相位延迟，由此以高精度实现微细图案以及图案的临界尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN1797190A | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN200510067255.0 | 申请日期 | 2005.04.20 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴赞河 |
| 分类号 | G03F1/00(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种用于曝光设备的多透射相位掩模，包括：该掩模的透光衬底；光屏蔽层，其形成在所述透光衬底上，从而防止光从其透过并限定半导体的多个图案区域；以及移相区域，其形成在邻近的图案区域之间，使得所述透光衬底的在所述半导体的所述邻近的图案区域之间的表面的预定部分暴露于外界，所述半导体的所述图案区域通过经所述光屏蔽层蚀刻所述透光衬底至预定深度形成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||