具有不对称薄窗的EEPROM单元

摘要

非易失存储单元(80)构成具有电荷传递窗(101)，其电荷传递区(101A)小于用来构制该单元的最小分辨特征尺寸。将窗(101)构成最小特征尺寸，但其布设位置将它部分置于单元的沟道区内，而且部分置于场氧化物垒壁(85b)内。窗(101A)位于沟道区内的部分不跨越沟道宽度到达相对的场氧化物垒壁(85a)，而且不沿着沟道区长度到达相对放置的任一源区(91)和漏区(93)。窗(101)内的氧化物经平坦深蚀刻，露出沟道区的衬底(111)。然后在窗(101)内，包括窗(101B)包围场氧化物垒壁(85b)的部分，生产薄的隧道效应氧化物。

主权项

1.一种存储单元，其特征在于包括：场氧化物，其具有隔开的两个相对的垒壁，限定了所述存储单元有源区的宽度极限，所述场氧化物位于第一导电型衬底上；扩散入所述衬底并穿过所述存储单元沿宽度方向从一个场氧化物垒壁延伸到相对的场氧化物垒壁的源区；扩散入所述衬底并与所述源区隔开的漏区，所述源区与所述漏区之间限定一个沟道区，所述漏区具有邻接所述相对场氧化物垒壁的相对两端，所述源区与漏区为与所述第一导电型相对的第二导电型；覆盖所述沟道区的第一栅氧化物；从所述沟道区延伸到选择的一个所述场氧化物垒壁的氧化物窗区，所述氧化物窗区不延伸到相对的另一个场氧化物垒壁，也不延伸到所述源区与漏区，所述氧化物窗区的特征在于：所述第一栅氧化物中的一凹口在所述沟道区上限定第一区域，以及所述选择的场氧化物垒壁中的一凹口在所述选择的场氧化物垒壁上限定第二区域；覆盖所述第一栅氧化物的导电浮栅层，包括所述氧化物窗区的整个所述第一区域。