| 发明名称 | 具动态起始电压的CMOS架构 | ||
| 摘要 | 一种具动态起始电压的CMOS架构，具有：MOS晶体管、第一二极管以及第二二极管。其中，第一二极管的第一连接端耦接MOS晶体管的栅极，且第一二极管的第二连接端耦接MOS晶体管的基底。而第二二极管的第一连接端则耦接一本体电压，且第二二极管的第二连接端则耦接MOS晶体管的基底。 | ||
| 申请公布号 | CN1263134C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN02101554.6 | 申请日期 | 2002.01.10 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张耀文;卢道政 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种具动态起始电压的CMOS架构，包括一MOS晶体管，其特征是，该架构还包括：一第一二极管，该第一二极管的第一连接端耦接该MOS晶体管的栅极，且该第一二极管的第二连接端耦接该MOS晶体管的基底；一第二二极管，该第二二极管的第一连接端耦接一本体电压，且该第二二极管的第二连接端耦接该MOS晶体管的基底。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||