| 主权项 |
1.一种粘着半导体晶片与基板之粘着剂,其特征系 含有(1)环氧树脂及其硬化剂100重量份,(2)含有缩水 甘油基(甲基)丙烯酸酯0.5-6重量份之Tg(玻璃化温度 )为-10℃以上,且重量平均分子量为10万以上之含环 氧基丙烯酸共聚物75-300重量份及(3)选自胺-环氧加 合物系、胺-醯尿加合物系及胺-胺基甲酸酯加合 物系之加合物型之潜在性硬化促进剂0.1-20重量份 。 2.如申请专利范围第1项之粘着剂,其系含有(1)环氧 树脂及其硬化剂100重量份,(2)与环氧树脂有相溶性 ,且重量平均分子量为3万以上之高分子量树脂5-40 重量份,(3)含有缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯0.5-6重 量%之Tg(玻璃化温度)为-10℃以上,且重量平均分子 量为10万以上之含环氧基丙烯酸共聚物75-300重量 份及(4)选自胺-环氧加合物系、胺-醯尿加合物系 及胺-胺基甲酸酯加合物系之加合物型之潜在性硬 化促进剂0.1-20重量份。 3.如申请专利范围第1项之粘着剂,其中潜在性硬化 促进剂为加合物型胺-醯尿加合物或胺-胺基甲酸 酯加合物。 4.如申请专利范围第1项之粘着剂,其中潜在性硬化 促进剂为胺-环氧加合物。 5.如申请专利范围第1项之粘着剂,其中对于粘着剂 树脂份100体积份时,含有无机填料1-20体积份。 6.如申请专利范围第5项之粘着剂,其中无机填料为 氧化铝、氧化矽、氢氧化铝、锑氧化物中任一种 。 7.一种黏着剂,其特征系将如申请专利范围第1项之 黏着剂加热所得之黏着剂,使用DSC(差式扫描热分 析)测定时,申请专利范围第1项之黏着剂产生全硬 化发热量之10-40%之发热为结束状态者。 8.一种黏着剂,其特征系将如申请专利范围第1项之 黏着剂溶解或分散于溶媒所得之清漆,经加热所得 之黏着剂,其中残留溶媒量为5重量%以下。 9.如申请专利范围第1项之粘着剂,其中使用动粘弹 性测定装置测定时,粘着剂硬化物之贮存弹性模数 在25℃为20-2000MPa,在260℃为3-50MPa。 10.一种粘着半导体晶片与基板之粘着剂,其特征系 以在B阶段状态产生相分离之2种树脂,硬化剂,及选 自胺-环氧加合物系、胺-醯尿加合物系及胺-胺基 甲酸酯加合物系之加合物型之潜在性硬化促进剂 为必须成分之粘着剂组成物,在B阶段状态下,硬化 促进剂为对于分散相具有相溶性,而对于连续相产 生相分离。 11.如申请专利范围第10项之粘着剂,其中系在B阶段 状态下,分散相成为以环氧树脂及硬化剂为主成分 的相,连续相成为以重量平均分子量为10万以上之 高分子量成分为主成分的相。 12.如申请专利范围第11项之粘着剂,其中重量平均 分子量为10万以上之高分子量成分为含有缩水甘 油基甲基丙烯酸酯或缩水甘油基丙烯酸酯2-6重量% 之含环氧基丙烯酸共聚物。 13.如申请专利范围第10项之粘着剂,其中加合物型 之潜在性硬化促进剂为胺-环氧基加合物化合物。 14.一种薄膜状之粘着构件,其特征系在载体薄膜上 形成如申请专利范围第1项-第13项中任一项之粘着 剂之层所得者。 15.一种粘着构件,其特征系在芯材之两面上形成如 申请专利范围第1项-第13项中任一项之粘着剂之层 所得者。 16.如申请专利范围第15项之粘着构件,其中芯材为 耐热性热可塑薄膜。 17.如申请专利范围第16项之粘着构件,其中耐热性 热可塑薄膜材料之软化点为260℃以上。 18.如申请专利范围第16项之粘着构件,其中芯材或 耐热性热可塑薄膜为多孔质薄膜。 19.如申请专利范围第16项之粘着构件,其中耐热性 热可塑薄膜为液晶聚合物。 20.如申请专利范围第16项之粘着构件,其中耐热性 热可塑薄膜为聚醯胺醯亚胺,聚醯亚胺,聚醚醯亚 胺或聚醚中之一种。 21.如申请专利范围第16项之粘着构件,其中耐热性 热可塑薄膜为聚四氟乙烯,乙烯四氟乙烯共聚物、 四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基 乙烯醚共聚物中之一种。 22.一种载置半导体用配线基板,其特征系在配线基 板之半导体晶片载置面具备如申请专利范围第14 项之粘着构件。 23.一种半导体装置,其特征系使用如申请专利范围 第14项之粘着构件粘着半导体晶片与配线基板。 24.一种半导体装置,其特征系使用如申请专利范围 第14项之粘着构件粘着半导体晶片之面积为配线 基板面积之70%以上之半导体晶片与配线基板。 25.如申请专利范围第1项-第9项中任一项之粘着剂, 其中环氧树脂之硬化剂为选自胺、聚醯胺、酸酐 、聚硫醚、三氟化硼及1分子中具有2个以上苯酚 性羟基之化合物及苯酚树脂所成群者,硬化剂之量 系对于粘着剂之环氧基1当量时,使与硬化剂之环 氧基之反应基成为0.6-1.4当量的量。 26.如申请专利范围第25项之粘着剂,其中环氧树脂 之硬化剂为重量平均分子量为500-2000之苯酚树脂 。 27.如申请专利范围第5项之粘着剂,其中无机填充 料为选自由氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸 镁、矽酸钙、矽酸镁、气化钙、氧化镁、氧化铝 、氮化铝、硼酸铝须、氮化硼、结晶性氧化矽、 非晶性氧化矽、及锑氧化物所成群者。 28.如申请专利范围第11项之粘着剂,其中环氧树脂 其分子量或重量平均分子量为300以上,5000以下,环 氧树脂之硬化剂为选自胺、聚醯胺、酸酐、聚硫 醚、三氟化硼及1分子中具有2个以上苯酚性羟基 之化合物及苯酚树脂所成群者,硬化剂之量系对于 粘着剂之环氧基1当量时,使与硬化剂之环氧基之 反应基成为0.6-1.4当量的量。 29.如申请专利范围第28项之粘着剂,其中环氧树脂 之硬化剂为重量平均分子量为500-2000之苯酚树脂 。 30.如申请专利范围第10-12、28及29项中任一项之粘 着剂,其中潜在性硬化促进剂为胺-醯尿加合物或 胺-胺基甲酸酯加合物。 图式简单说明: 图1(a)系表示本发明之由粘着剂单层所构成之薄膜 状之粘着构件的断面图,(b)系表示本发明之芯材之 两面备有粘着剂之层之粘着构件的断面图。 图2(a)系表示使用本发明之由粘着剂单层所构成之 薄膜状之粘着构件之载置半导体用配线基板的断 面图,图2(b)系表示使用本发明之芯材之两面备有 粘着剂之层之粘着构件之载置半导体用配线基板 的断面图。 图3(a)系表示使用本发明之由粘着剂单层所构成之 薄膜状之粘着构件,粘着半导体晶片与配线基板, 以接合金属线连接半导体晶片之垫片与基板上之 配线之半导体装置的断面图,图3(b)系表示使用本 发明之芯材之两面备有粘着剂之层之粘着构件,粘 着半导体晶片与配线基板,以接合金属线连接半导 体晶片之垫片与基板上之配线之半导体装置的断 面图,图3(c)系表示使用本发明之由粘着剂单层所 构成之薄膜状之粘着构件,粘着半导体晶片与配线 基板,将基板之内部导线与半导体晶片接合之半导 体装置的断面图,图3(d)系表示使用本发明之芯材 之两面备有粘着剂之层之粘着构件,粘着半导体晶 片与配线基板,将基板之内部导线与半导体晶片接 合之半导体装置的断面图。 |
