隔离各种操作电压的集成电路的半导体结构

摘要

本发明是有关于一种隔离各种操作电压的集成电路的半导体结构，包括一隔离环位于半导体基材上，并环绕第一电路区与第二电路区。埋入隔离层连续地延伸穿过半导体基材中的第一电路区与第二电路区。埋入隔离层与隔离环交接，藉以将第一电路区及第二电路区与半导体基材的背面偏压隔离。经离子强化隔离层，将位于第一电路区的第一井及第二电路区的第二井与隔离环及埋入隔离层分开，藉以防止穿孔穿过第一与第二电路区的第一井及第二井与埋入隔离层之间。

主权项

1、一种半导体结构，用以隔离在不同电压下操作的一第一电路区与一第二电路区，其特征在于其中所述的半导体结构至少包括：一隔离环，位于一半导体基材上，并围绕该第一电路区与该第二电路区；以及一埋入隔离层，连续地延伸穿过该半导体基材中的该第一电路区与该第二电路区，其中该埋入隔离层与该隔离环交接，藉以将该第一电路区及该第二电路区与该半导体基材的一背面偏压隔离。