发明名称 制造III族氮化物半导体的方法METHOD FOR FABRICATION OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR
摘要 一种Ⅲ族氮化物半导体的制法,其包含的步骤有:安装一基板于反应舱内,形成Ⅲ族氮化物半导体于基板上,使固态氮化合物存在于反应舱内而作为Ⅲ族氮化物半导体的氮源,以及将作为Ⅲ族元素源的原料气体供应至反应舱内而制造Ⅲ族氮化物半导体。
申请公布号 TW200618075 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094131475 申请日期 2005.09.13
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 小早川真人;三木久幸
分类号 H01L21/205;H01L33/00;C23C16/34;C30B29/38 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本