发明名称 |
制造III族氮化物半导体的方法METHOD FOR FABRICATION OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR |
摘要 |
一种Ⅲ族氮化物半导体的制法,其包含的步骤有:安装一基板于反应舱内,形成Ⅲ族氮化物半导体于基板上,使固态氮化合物存在于反应舱内而作为Ⅲ族氮化物半导体的氮源,以及将作为Ⅲ族元素源的原料气体供应至反应舱内而制造Ⅲ族氮化物半导体。 |
申请公布号 |
TW200618075 |
申请公布日期 |
2006.06.01 |
申请号 |
TW094131475 |
申请日期 |
2005.09.13 |
申请人 |
昭和电工股份有限公司 |
发明人 |
小早川真人;三木久幸 |
分类号 |
H01L21/205;H01L33/00;C23C16/34;C30B29/38 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
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代理人 |
何金涂;何秋远 |
主权项 |
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地址 |
日本 |