发明名称 |
集成电路和其被动元件及形成此被动元件的方法 |
摘要 |
本发明是关于一种集成电路和其被动元件及形成此被动元件的方法,该集成电路包括一主动元件,具有一金属闸电极沉积在一基板上;一由半导体材料所形成的被动元件,形成于邻近此主动元件处的基板上;一介电层位于该被动元件和基板间,用以隔离两者。该被动元件的方法,其至少包括以下步骤:形成一闸极介电层在一半导体基板上;形成一金属闸极电极在该闸极介电层上;沉积一介电层在该金属闸极电极之上;沉积一半导体层在该介电层之上;以及图案化该半导体层和该介电层用以形成一被动元件。本发明的被动元件制造方法不会占据额外的布局区域,并且可以解决不容易熔断的问题。 |
申请公布号 |
CN1776910A |
申请公布日期 |
2006.05.24 |
申请号 |
CN200510098504.2 |
申请日期 |
2005.08.31 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
黄健朝 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01) |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种集成电路,其特征在于其至少包括:一主动元件,具有一金属闸极电极沉积在一基板上;一被动元件,是由一半导体材料所形成,形成在该基板上的该主动元件附近;以及一介电层位于该被动元件和该基板间用以分隔两者。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 |