发明名称 半导体记忆体元件
摘要 一种半导体记忆体元件,其中,为了控制行位址计数器与闩方块电路在读取操作时的电流消耗,位在行位址计数器与闩方块电路之中的延迟单元,根据在写入和读取操作时致能之讯号CASP6,及在写入操作时致能,而在读取操作时失能之讯号WT6RD5Z,执行移位操作。因此,可以减少在读取操作时不必要的电流消耗。
申请公布号 TW200615977 申请公布日期 2006.05.16
申请号 TW094119504 申请日期 2005.06.13
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 辛范柱
分类号 G11C8/18 主分类号 G11C8/18
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国
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