| 发明名称 | 在半导体器件中形成隔离膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在半导体器件中形成隔离膜的方法。依据本发明，该方法包括步骤：在半导体衬底中形成沟槽；在所形成的沟槽中形成第一高密度等离子体氧化物膜；使用C<SUB>2</SUB>F<SUB>6</SUB>气体与氧气的混合气体实施一回蚀刻工艺，以在形成有该第一高密度等离子体氧化物膜的所得整个表面上形成具有直立侧壁的第一高密度等离子体氧化物膜；以及在完成该回蚀刻工艺的所得整个表面上形成一第二高密度等离子体氧化物膜。因为该第一高密度等离子体氧化物膜上所形成的FSG膜中的氟离子扩散被减至最小，所以可改善器件的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1767166A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200510062882.5 | 申请日期 | 2005.04.05 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 柳春根 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的隔离膜的方法，包括步骤：在半导体衬底中形成沟槽；在所形成的沟槽中形成第一高密度等离子体氧化物膜；在形成有该第一高密度等离子体氧化物膜的所得整个表面上使用C2F6气体与O2气体的混合气体实施一回蚀刻工艺，从而形成具有直立侧壁的第一高密度等离子体氧化物膜；以及在完成了该回蚀刻工艺的所得整个表面上形成第二高密度等离子体氧化物膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||