发明名称 迷你SD与RS-MMC记忆卡结构(二)
摘要 本创作系关于一种将控制晶片与记忆体颗粒重新布局,并同时设置复数个记忆体颗粒之迷你SD与RS-MMC记忆卡结构。本创作包括一储存单元,该储存单元设有一基板,该基板上设置有一控制晶片与复数个记忆体颗粒,该控制晶片系装设于该基板上插入端之该端,而该些记忆体颗粒则装设于该基板上该控制晶片之下方,并接近于插入端相对之另一端;以及一壳体,该壳体系将该储存单元封包其中。
申请公布号 TWM290326 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW094201101 申请日期 2005.01.20
申请人 品桦国际股份有限公司 发明人 徐胜智
分类号 H01R27/00 主分类号 H01R27/00
代理机构 代理人 洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼
主权项 1.一种迷你SD与RS-MMC记忆卡结构,包括 一储存单元,该储存单元设有一基板,该基板上设 置有一控制晶片与复数个记忆体颗粒,该控制晶片 系装设于该基板上插入端之该端,而该些记忆体颗 粒则装设于该基板上该控制晶片之下方,并接近于 插入端相对之另一端;以及 一壳体,该壳体系将该储存单元封包其中。 2.如申请专利范围第1项所述之迷你SD与RS-MMC记忆 卡结构,其中该控制晶片其面积大小为7mm见方。 3.如申请专利范围第1项所述之迷你SD与RS-MMC记忆 卡结构,其中该储存单元设置有二记忆体颗粒。 4.如申请专利范围第3项所述之迷你SD与RS-MMC记忆 卡结构,其中该二记忆体颗粒系于该控制晶片下方 以左右方式排列设置。 5.如申请专利范围第3项所述之迷你SD与RS-MMC记忆 卡结构,其中该二记忆体颗粒系于该控制晶片下方 以上下排列方式设置。 图式简单说明: 第一图系习知创作记忆卡之示意图。 第二图系本创作实施例记忆卡之示意图。 第三图系本创作另一记忆卡实施例之示意图。
地址 台北市内湖区内湖路1段388号8楼之3