Halbleiterbauteil

摘要

Ein Halbleiterbauteil ist mit Folgendem versehen: (a) einem vertikalen Feldeffekttransistor, der Folgendes aufweist: DOLLAR A - eine Drainelektrode (21), die auf einer ersten Fläche eines Halbleiters von erstem Leitungstyp ausgebildet ist; DOLLAR A - ein Paar erster Gräben (110, 111), die ausgehend von einer zweiten Fläche des Halbleiters ausgebildet sind; DOLLAR A - Steuerbereiche (12, 14) von zweitem Leitungstyp, die jeweils entlang der ersten Gräben ausgebildet sind; DOLLAR A - einen Sourcebereich (13) vom ersten Leitungstyp, der entlang der zweiten Fläche des Halbleiters zwischen den ersten Gräben ausgebildet ist; DOLLAR A - eine Sourceelektrode (22), die mit dem Sourcebereich verbunden ist und DOLLAR A - eine Gateelektrode (23), angrenzend an die Steuerbereiche; wobei dieses Halbleiterbauteil ferner mit Folgendem versehen ist: DOLLAR A (b) einem Paar zweiter Gräben (112 und 113), die auf der zweiten Fläche des Halbleiters unabhängig vom Feldeffekttransistor ausgebildet sind; DOLLAR A (c) Steuerbereichen (18, 20) vom zweiten Leitungstyp, die entlang der zweiten Gräben ausgebildet sind und DOLLAR A (d) einer Diode (114) mit einem Übergang, mit Ausbildung auf der zweiten Fläche zwischen den zweiten Gräben.