发明名称 半导体器件
摘要 本发明的课题是,在半导体器件组装时,提供一种减少在加热工序中所产生的底板的翘曲或变形的技术。在底板1内部形成增强板13。增强板13的材料使用Cu、Cu合金、Fe、Fe合金等比底板1的其它部位的材料(例如Al)的线膨胀系数低的材料。通过在底板1的内部形成线膨胀系数低的增强板13,减少了底板1的视在线膨胀系数。其结果是,由于底板1与绝缘基板2的线膨胀系数之差减小,故在加热工序中,可减少因底板1与绝缘基板2的线膨胀系数之差大而产生的底板1的翘曲。
申请公布号 CN1755918A 申请公布日期 2006.04.05
申请号 CN200510081349.3 申请日期 2005.06.27
申请人 三菱电机株式会社 发明人 西堀弘;筱原利彰;吉田健治
分类号 H01L23/14(2006.01) 主分类号 H01L23/14(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 浦柏明;刘宗杰
主权项 1.一种半导体器件,它是包括:底板;被结合在上述底板上的绝缘基板;被结合在上述绝缘基板上的电路图形;被结合在上述电路图形上的半导体元件;以及在上述底板上所形成的外壳,以便包围上述半导体元件的半导体器件,其特征在于:上述底板在其内部包括与上述底板的其它部位相比其线膨胀系数低的增强体。
地址 日本东京都