形成超浅接面的方法

摘要

一种在p型元件中形成超浅接面的方法，系使用铝离子来植入n掺杂的矽中，再以一低温度退火来活化及扩散该铝。使用铝会比硼更具有许多优点，譬如能够形成较浅的接面，有较低的电阻率，并能使用较低温度来退火。