| 发明名称 | 粘合片材和层合体 | ||
| 摘要 | 本发明提供粘合片材、含有该粘合片材的层合体以及它们的制造方法，其中所述粘合片材含有基材(A)和热粘合层(C)，并具有特定的剥离强度或剪切剥离强度，其中所述基材(A)含有玻璃化转变温度为200℃或以上的全芳族聚酰亚胺薄膜，所述热粘合层(C)含有具有玻璃化转变温度为200℃－500℃特性的全芳族聚酰胺。本发明还提供：通过对含该粘合片材的层合体实施处理后进行剥离，来获得含有目标被处理层的层合体的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1745153A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200480003237.X | 申请日期 | 2004.01.28 |
| 申请人 | 帝人株式会社 | 发明人 | 吉富孝;小岛一范;中村勤;石渡丰明;佐胁透 |
| 分类号 | C09J7/02(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | C09J7/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郭煜;庞立志 |
| 主权项 | 1.粘合片材，其特征在于：该粘合片材含有基材(A)和热粘合层(C)，其中所述基材(A)含有玻璃化转变温度为200℃或以上的全芳族聚酰亚胺薄膜，所述热粘合层(C)含有具有玻璃化转变温度为200℃-500℃特性的全芳族聚酰胺；按照包含硅晶片的被粘合体、热粘合层(C)和基材(A)的顺序层合时，至少满足下述条件(a)或(b)其中之一：(a)在300℃且5.0-6.0MPa下热压15分钟后，热粘合层(C)与硅晶片的界面处的剥离强度为0.1N/m-300N/m；(b)在300℃且5.0-6.0MPa下热压2分钟后，热粘合层(C)与硅晶片的界面处的剪切剥离粘结强度为1N/cm2-1000N/cm2。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||