| 发明名称 |
Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
| 摘要 |
Vorgeschlagen werden eine Halbleiterschaltungsanordnung (10) sowie ein Verfahren zu deren Herstellung, bei welchem zu materiellen Trennung eines ersten Schaltungsbereichs (30) und eines zweiten Schaltungsbereichs (40) ein Schutzmaterialbereich (50) aus Poly(para-xylen) ausgebildet ist bzw. wird.
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| 申请公布号 |
DE102004040505(A1) |
申请公布日期 |
2006.03.02 |
| 申请号 |
DE200410040505 |
申请日期 |
2004.08.20 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HALIK, MARCUS;DEHM, CHRISTINE;KLAUK, HAGEN;ZSCHIESCHANG, UTE;SCHMID, GUENTER |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L51/30 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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