发明名称 对漏磁通敏感性较小的磁传感单元
摘要 一种磁传感单元(11)包含致动器电机(2)和磁性位置传感器(12)。致动器电机(2)具有包含电机磁体(231,232)的磁路(23)。磁性位置传感器(12)包含传感器磁体(42)和用于探测磁通量的霍耳元件(5)。磁体间隙(201,202)形成在电机磁体(231,232)之间。霍耳元件(5)被安置在电机(2)的外面,用于在穿过磁体间隙(201,202)的方向上探测磁通量,该方向与从一个电机磁体(231,232)指向另一个电机磁体的方向垂直。在霍耳元件(5)的这种布置中,霍耳元件(5)探测到的从电机磁体(231,232)泄漏的磁通受到了限制。
申请公布号 CN1243955C 申请公布日期 2006.03.01
申请号 CN03148903.6 申请日期 2003.06.24
申请人 株式会社电装 发明人 德永政男;武田宪司;神谷知充
分类号 G01D5/12(2006.01);G01B7/00(2006.01) 主分类号 G01D5/12(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 刘兴鹏
主权项 1.一种磁传感单元(11),包括:致动器电机(2),其具有磁路(23);和磁性位置传感器(12),其用于通过磁性方式探测致动器电机(2)的转动位置,磁性位置传感器(12)包含:磁通探测装置(5);及磁通产生装置(4),其根据致动器电机(2)的转动位置向磁通探测装置(5)产生预定大小的磁通量;磁传感单元(11)的特征在于:磁通探测装置(5)被安置在磁路(23)之外的位置和方向上,在该位置和方向上,磁通探测装置(5)对磁路(23)的漏磁通(ΦM)最不敏感。
地址 日本爱知