用于具高电容率闸极氧化物之场效电晶体的阈値及平带电压稳定层

摘要

本发明提供一种用于互补金氧半导体(CMOS)之绝缘夹层，该绝缘夹层防止不当的阈值电压及平带电压之偏移。该绝缘夹层位于一具有大于4.0之介电常数之闸极介电质与一含Si之闸极导体之间。本发明之绝缘夹层为可视需要而包含氧、能够稳定阈值及平带电压之任何金属氮化物。在一较佳实施例中，该绝缘夹层为氮化铝或氮氧化铝且该闸极介电质为氧化铪、矽酸铪或氮氧化矽铪。本发明尤其适用于稳定p型场效电晶体之阈值及平带电压。