发明名称 免疫吸附墙中静止相形成方法
摘要 本发明提出一种免疫吸附墙中静止相形成的方法。其包括一个聚丙烯醯胺胶体的支撑底层、一个聚丙烯醯胺胶体的推积表层,以及固定在表层的免疫吸附剂。其制备方法可分为两阶段,第一阶段为较高浓度的丙烯醯胺聚合溶液,进行丙烯醯胺胶体聚合反应,形成支撑底层胶体。第二阶段为藉由调控反应的进行,将含有免疫吸附剂的较低浓度聚丙烯醯胺胶体聚合反应形成堆积表层胶体,完成免疫吸附墙中静止相之制备。
申请公布号 TWI248827 申请公布日期 2006.02.11
申请号 TW093125402 申请日期 2004.08.24
申请人 正修科技大学 发明人 杨宗桦
分类号 B01D15/08;B01J20/24;A61M1/14 主分类号 B01D15/08
代理机构 代理人
主权项 1.一种免疫吸附墙中静止相之制备方法,其包括一 个聚丙烯醯胺胶体的支撑底层、一个聚丙烯醯胺 胶体的堆积表层,以及固定在表层的免疫吸附剂, 其制备方法可分为两阶段,第一阶段为较高浓度的 丙烯醯安聚合溶液,进行丙烯醯胺胶体聚合反应, 形成孔隙较小的支撑底层胶体。第二阶段为含有 免疫吸附剂的较低浓度聚丙烯醯胺胶体聚合反应 形成较大孔隙度堆积表层,首先藉由低温,抑制反 应的进行,此时,移除免疫吸附剂上方的聚合溶液, 并以缓冲溶液浸润免疫吸附剂表层,然后使反应系 统回温,聚合反应便可自动启动,聚合反应完成后, 将表面未聚合的溶液与免疫吸附剂以缓冲溶液或 水冲走,完成免疫吸附墙中静止相之制备。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该免疫吸附墙 中静止相进一步有一道免疫隔离之屏障者。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中免疫吸附墙中 静止相之基质由其他组成或类似聚丙烯醯胺胶体 而能达成相同作用物质所组成者。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中免疫吸附墙中 静止相之基质组成为均匀者。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中免疫吸附墙中 静止相之基质组成变化梯度为连续者。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中第二阶段为含 有免疫吸附剂的聚丙烯醯胺胶体可以直接进行聚 合反应,所形成固定化免疫吸附剂表层,完成免疫 吸附墙中静止相之制备者。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中抑制聚合反应 进行步骤是由加入反应抑制剂或其他能造成相同 作用之方式者。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中固定在表层胶 体者为一般性吸附剂或具功能性之分子或离子。 9.如申请专利范围第1项之方法,静止相的表层和支 撑底层产生分子筛作用,藉此限制大分子量物质的 流失。 10.如申请专利范围第1项之方法,聚合反应完成后, 将表面未聚合固定之免疫吸附剂以缓冲溶液或水 冲走,进一步回收再生利用者。 11.如申请专利范围第1、2、8项之方法,进一步将免 疫吸附墙中静止相引入或合并另一种装置,而能够 去除免疫吸附剂或一般性吸附剂所针对之分子者 。 12.如申请专利范围第1、7、8项之方法,进一步免疫 吸附墙中静止相再生利用者。 图式简单说明: 图一为本发明方法示意图 图二为本发明方法具体实施例图
地址 高雄县鸟松乡澄清路840号