发明名称 |
半导体元件的驱动装置 |
摘要 |
本发明的目的在于提高电流密度的稳定性,阻止电流集中和振荡,以实现可靠性的提高。本发明通过在关断时,在主电流移动至下降时间之前,将控制电极的电压下降至半导体元件的阈值电压Vth以下,提供在主电极间的电压上升前停止电子注入,可以提高电流密度的稳定性,阻止电流集中和振荡等来提高可靠性的半导体元件、及其驱动方法和驱动装置。 |
申请公布号 |
CN1240104C |
申请公布日期 |
2006.02.01 |
申请号 |
CN99106655.3 |
申请日期 |
1999.05.18 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
大村一郎;斋藤凉夫;大桥弘通;土门知一;杉山公一;西蒙·爱希尔;小仓常雄;A·J·迪阿斯;J·M·J·福莱彻特;S·B·洛斯克 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);H01L29/70(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王以平 |
主权项 |
1、一种双极半导体元件的驱动装置,该双极半导体元件是带有高压侧主电极、低压侧主电极和控制电极的绝缘栅型双极半导体元件,其特征在于包括:在关断所述双极半导体元件时,在所述主电极间的电压进入过冲区域之前,所述电路使所述控制电极的电压下降至所述双极半导体元件的阈值电压Vth以下的电路。 |
地址 |
日本神奈川县 |