| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在本发明中，低浓度杂质区形成在半导体层中的沟道形成区与源区或漏区之间，且被薄膜晶体管中的栅电极层覆盖。利用栅电极层作掩模，倾斜于半导体层的表面掺杂半导体层以形成低浓度杂质区。形成半导体层，以具有包括赋予一种导电类型的杂质元素的杂质区，该导电类型不同于薄膜晶体管的导电类型，由此能够精确地控制薄膜晶体管的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1725513A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200510089632.0 | 申请日期 | 2005.06.14 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;矶部敦生;山口哲司;乡户宏充 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体层，具有沟道形成区、源区、漏区和形成于沟道形成区与源区之间的杂质区，其中沟道形成区和漏区彼此接触；栅绝缘层，形成于半导体层的上方；以及栅电极层，形成于沟道形成区和杂质区的上方，栅绝缘层介于其间。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||