| 发明名称 | 形成ONO型记忆胞与高低压晶体管的闸介电层的方法 | ||
| 摘要 | 目前ONO型记忆胞堆叠的顶氧化层的制造方法常常会产生鸟嘴。ONO型记忆胞堆叠中的某些材料例如氮化硅相对地较难以氧化。其结果导致氧化沿着ONO型记忆胞堆叠的多层高度无法均匀地进行。本发明揭露如何以自由基为基础形成ONO型记忆胞堆叠的顶氧化层(即原位蒸汽产生方法)以助于减少鸟嘴的生成。特别是，本发明指出短生命期的氧化剂(例如是氧原子)更容易氧化那些难以氧化的材料，例如氮化硅，且本发明显示短生命期的氧化剂不会选择性地或是额外地深度扩散穿透ONO型记忆胞堆叠中已经氧化的层，例如底氧化层。因而，可以制造出更均匀的顶氧化硅层，沿着这个高度会有更均匀的崩溃电压。此外，以自由基为基础的氧化方法，相邻的低压与高压晶体管也由于同时形成闸介电层而受益。 | ||
| 申请公布号 | CN1725469A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200510066249.3 | 申请日期 | 2005.04.25 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 董忠;张洽克;陈庆华;萧家顺 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L21/283(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种氧化介电层的制造方法，适用于一ONO型记忆胞堆叠，该ONO型记忆胞堆叠暴露出来的顶部包括一氮化层，该方法包括：对该ONO型记忆胞堆叠暴露出来的顶部施加一干式原位蒸汽产生(In-Situ Steam Generation，ISSG)制程，该干式原位蒸汽产生制程包括：以氧分子流过该ONO型记忆胞堆叠；以及以氢分子流过该ONO型记忆胞堆叠，其中氢氧流量体积比约小于0.2。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||