| 发明名称 | 一种P型MOSFET的结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明通过下述方法形成了p型MOSFET：用绝缘体覆盖栅并在侧壁之外沉积含锗层，然后通过退火或氧化使锗扩散到硅上绝缘体层或体硅中以形成渐变掩埋硅－锗源－漏和/或扩展(geSiGe－SDE)。对于SOI器件来说，geSiGe－SDE可以达到掩埋绝缘体以使SOI器件的沟道中的压力最大化，这对于超薄SOI器件来说是有利的。渐变锗分布提供了优化应力以提高器件性能的方法。geSiGe－SDE在PMOSFET的沟道中在水平方向(平行于栅电介质表面)上产生压应力，在垂直方向(垂直于栅电介质表面)上产生张应力，从而形成提高PMOSFET性能的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1716554A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200510078975.7 | 申请日期 | 2005.06.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.形成PMOSFET的方法，包含下列步骤：提供SOI晶片，它具有掩埋绝缘层和在所述掩埋绝缘层之上的SOI层；在所述SOI层之上形成一层栅绝缘体；在所述SOI层之上形成晶体管栅，所述栅之下有沟道；在所述栅的第一和第二侧面形成绝缘体侧壁；在所述SOI层上邻近所述绝缘体侧壁处外延形成含有掺杂剂的掺杂层；使所述掺杂剂从所述掺杂层扩散到所述SOI层中，从而在所述沟道平行于SOI表面的水平方向上产生压应力并在垂直于所述SOI表面的垂直方向上产生张应力；以及完成所述PMOSFET。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||