氮化镓系半导体装置

摘要

一种具有p型层之氮化镓系半导体装置，该p型层系含有p型杂质并展现出p型导电型之氮化镓(GaN)化合物半导体层。该p型层包含顶部分和位在顶部分下方之内部分。该内部分含有p型杂质并有氢合并于内。该顶部分包含含有非化学计量原子比之III族元素和V族元素之区域。