| 发明名称 | 半导体激光元件 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型GaAs盖层的层厚和p型Al<SUB>X</SUB>Ga<SUB>1－X</SUB>As(X=0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型GaAs盖层的层厚和p型AlGaInP第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型GaAs盖层以及p型Al<SUB>X</SUB>Ga<SUB>1－X</SUB>As(X=0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlGaInP第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。 | ||
| 申请公布号 | CN1705178A | 申请公布日期 | 2005.12.07 |
| 申请号 | CN200510075919.8 | 申请日期 | 2005.06.01 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 和田一彦;宫嵜启介;森本泰司;辰巳正毅;上田祯亮 |
| 分类号 | H01S5/40;H01S5/22;H01S5/323;H01S5/343 | 主分类号 | H01S5/40 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光元件，其具有：基板；形成在上述基板上并射出第一波长的激光的第一激光射出部；形成在上述基板上并射出与上述第一波长不同的第二波长的激光的第二激光射出部，上述第一激光射出部具有第一导电型下包层、有源层、第二导电型第一上包层、蚀刻阻止层、第二导电型第二上包层以及第二导电型盖层，上述第二激光射出部具有第一导电型下包层、有源层、第二导电型第一上包层、蚀刻阻止层、第二导电型第二上包层以及第二导电型盖层，由上述第一激光射出部的第二导电型第二上包层以及第二导电型盖层构成第一脊带，并由上述第二激光射出部的第二导电型第二上包层以及第二导电型盖层构成第二脊带，上述第一激光射出部的第二导电型盖层的层厚和上述第一激光射出部的第二导电型第二上包层的层厚相加的层厚与上述第二激光射出部的第二导电型盖层的层厚和上述第二激光射出部的第二导电型第二上包层的层厚相加的层厚的比跟蚀刻上述第一激光射出部的第二导电型第二上包层以及第二导电型盖层时的蚀刻速率与蚀刻上述第二激光射出部的第二导电型第二上包层以及第二导电型盖层时的蚀刻速率的比大致相同。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||