| 发明名称 | 处理装置和处理方法 | ||
| 摘要 | 在处理装置中，将包含原料气体(TiCl<SUB>4</SUB>、NH<SUB>3</SUB>)和非活性气体(N<SUB>2</SUB>)的处理气体供给处理容器(2)内。利用压力计(6)检测处理容器(2)内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器(2)内的处理气体的流量。利用非活性气体进行原料气体的清洗。使原料气体的流量一定，通过控制非活性气体的流量，控制作为处理气体全体的流量，将处理容器(2)内的压力维持一定。为缩短排出原料气体需要的时间，缩短切换原料气体的时间。另外，可以维持处理中的基板表面的温度一定。 | ||
| 申请公布号 | CN1703769A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN03820662.5 | 申请日期 | 2003.08.15 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 河南博;石坂忠大;小岛康彦;大岛康弘;重冈隆 |
| 分类号 | H01L21/02;C23C16/52;C23C16/455;H01L21/285;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1、一种处理装置，在供给包含原料气体和非活性气体的处理气体的同时，对基板进行处理，其特征为，它由：收容有该基板的处理容器；将处理气体供给至该处理容器内的处理气体供给装置；排气装置；检测所述处理容器内的压力的压力检测装置；和根据压力检测装置的检测结果，控制供给至所述处理容器的处理气体的流量的控制装置构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||