| 发明名称 | 沟槽式金属－绝缘层－金属电容结构与其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种沟槽式金属－绝缘层－金属电容结构与其形成方法，它是利用CMOS的技术制成，在半导体结构上先形成金属间介电层(IMD)，再在它上面形成导电层，此导电层作为电容的底金属层，其中具有至少一沟槽；接着，介电层共形在导电层上，并覆盖沟槽的侧壁；再以另一导电层填入沟槽中形成电容的顶金属层。本发明的电容结构具有更有效的面积利用率与比电容值。 | ||
| 申请公布号 | CN1700408A | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
| 申请号 | CN200410018459.0 | 申请日期 | 2004.05.19 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 金平中;方浩;高荣正;杨斌 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、一种沟槽式金属层-绝缘层-金属层电容结构，包括：一半导体结构；一第一介电层在所述半导体结构上；一第一导电层在所述第一介电层上，所述第一导电层中至少具有一个沟槽；一第二介电层在所述第一导电层上，并覆盖所述沟槽的侧壁；以及一第二导电层在所述沟槽中及所述沟槽与第二介电层上。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||