发明名称 |
多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及其制作方法 |
摘要 |
一种多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及其制作方法,其特征在于:多层片状自耦合式压电陶瓷降压变压器是由作为电压输入的二组多层压电陶瓷1和夹在这二组多层陶瓷之间作为输出端的一组多层压电陶瓷2组成变压器的。其中变压器的多层压电陶瓷采用轧膜和流延方法经多层共烧结制。该变压器具有体积小、输入和输出端不共地连接、结构设计灵活的特点。其降压比可调,最大可达0.16,功率转换效率高达98%,有望可广泛应用于新一代的移动通讯、手机等电子产品中。 |
申请公布号 |
CN1700485A |
申请公布日期 |
2005.11.23 |
申请号 |
CN200410018444.4 |
申请日期 |
2004.05.19 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
李国荣;殷庆瑞;张望重;郑嘹赢 |
分类号 |
H01L41/107;H01L41/083;H01L41/24 |
主分类号 |
H01L41/107 |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
1.一种多层片状压电陶瓷自耦式降压变压器,其特征在于所述的降压变压器是由三组多层片状压电陶瓷组成,上、下二组片状压电陶瓷(1)与输入电压端相连接,中间的一组片状压电陶瓷(2)与输出电压端相连接,且所述的三组多层片状压电陶瓷的等效极化方向相同。 |
地址 |
200050上海市定西路1295号 |