发明名称 |
与非闪存装置的多输入/输出修复方法及其与非闪存装置 |
摘要 |
本发明公开了一种“与非”闪存装置的多输入/输出修复方法及其“与非”闪存装置。根据本发明,在页缓冲区系置于主阵列和冗余阵列的上方和下方并具有不同的数据线的“与非”闪存装置中,系根据外部地址选取该冗余阵列的上方/下方页缓冲区,且数据会在冗余数据线上传输,而该数据最后会经由数据线选择单位而被选取。因此,在本发明中,若要修复具有不同地址的主行,可以一对一地将其以冗余行替换,并因此可达到具有相同地址的两主行的多输入/输出修复。 |
申请公布号 |
CN1697085A |
申请公布日期 |
2005.11.16 |
申请号 |
CN200510005784.8 |
申请日期 |
2005.01.25 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
朴镇寿 |
分类号 |
G11C16/06;G11C7/00;H01L21/8247 |
主分类号 |
G11C16/06 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
黄小临;王志森 |
主权项 |
1.一种“与非”闪存装置的多输入/输出修复方法,且在该“与非”闪存装置中,第一和第二页缓冲区系置于主阵列中,而第三和第四页缓冲区则置于冗余阵列中;该“与非”闪存装置包括第一和第二地址熔丝区块,以分别选取第三和第四页缓冲区,以及第一和第二输入/输出熔丝区块,以选取由第一到第四页缓冲区所收到的数据中的一个,并经由第一数据线将选定数据传送至输入/输出缓冲区,其中系根据欲修复主行地址,经由第一和第二地址熔丝区块同时选取第三和第四页缓冲区,且由第三和第四页缓冲区收到的第一和第二数据系因此分别传输于第二和第三数据线上,而经由第二和第三数据线收到的第一和第二数据则会根据第一和第二输入/输出熔丝区块的输出信号传输于第一数据线上,藉此可修复主行。 |
地址 |
韩国京畿道 |