摘要 |
<P>Procédé de dépôt sous vide d'au moins une couche mince sur une portion de surface d'un substrat, caractérisé en ce que :- on choisit au moins une espèce de pulvérisation chimiquement inactive ou active à l'égard d'un matériau à pulvériser,- on génère, à l'aide d'au moins une source ionique linéaire positionnée au sein d'une installation ayant une taille industrielle, un faisceau collimaté d'ions comprenant majoritairement ladite espèce de pulvérisation,- on dirige ledit faisceau vers au moins une cible à base du matériau à pulvériser,- on positionne au moins une portion de surface dudit substrat en regard de ladite cible de telle sorte que ledit matériau pulvérisé par le bombardement ionique de la cible ou un matériau résultant de la réaction dudit matériau pulvérisé avec au moins une des espèces de pulvérisation se dépose sur ladite portion de surface.</P>
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