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发明名称 METHOD OF FABRICATING HIGH-K DIELECTRIC LAYER HAVING REDUCED IMPURITY
摘要
申请公布号 KR20050101626(A) 申请公布日期 2005.10.25
申请号 KR20040026690 申请日期 2004.04.19
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 JUNG, HYUNG SUK;LEE, JONG HO;LIM, HA JIN;PARK, JAE EUN;KIM, YUN SEOK;YANG, JONG HO
分类号 H01L21/31;C23C16/40;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/336;H01L21/469;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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