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发明名称
监控低温快速热退火制程的方法
摘要
本发明系揭露一种监控低温快速热退火制程的方法,其系利用于低温时非晶质矽层与金属层之接处表面会形成一对温度相当敏感之金属矽化物,再藉由量测金属矽化物的片电阻值来监控该低温快速热退火制程的稳定性。
申请公布号
TW200534398
申请公布日期
2005.10.16
申请号
TW093109893
申请日期
2004.04.09
申请人
上海宏力半导体制造有限公司 GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION 中国
发明人
江瑞星
分类号
H01L21/324
主分类号
H01L21/324
代理机构
代理人
林火泉
主权项
地址
中国
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