半导体元件及静电放电防护电路

摘要

本发明系关于一种静电放电防护元件，系适用于一双闸结构制程，其中该静电放电防护元件系耦接于一输出入垫片及一低电源端之间，系包括，一主动区，具有复数个金氧半电晶体，其中该等金氧半电晶体包括有至少一包含薄闸极氧化层之第一电晶体以及至少一具厚闸极氧化层之第二电晶体，其中第一电晶体系设于一薄闸氧化区制程区域；第二电晶体则设于一厚闸氧化区制程区域，俾可增进ESD防护之效能。