发明名称 |
铁电器件以及制造该器件的方法 |
摘要 |
本发明涉及铁电器件(10),其具有包括衬底(1)和铁电层(2)的主体(11),在远离衬底(1)的一侧为该铁电层(2)提供连接导体(3),该铁电层包含无氧铁电材料(2)并用于形成有源电元件(4),特别是存储元件(4)。这种器件形成有吸引力的非易失性存储器件。根据本发明,在衬底(1)和铁电层(2)之间存在导电层(5),该导电层形成铁电层(2)的另外的连接导体(5),且作为该铁电层(2)与连接导体(3、5)中的至少一个形成肖特基结这一事实的结果,形成有源电元件(4)。实践中已经发现这种器件(10)包括性能优越的存储元件(4),该存储元件(4)可以容易地形成在优选单晶硅衬底(1)上。优选地,该器件(10)还包括场效应晶体管(6),且优选元件(4)位于该晶体管(6)的源或漏区(7)上。该有源元件也可以充当二极管。 |
申请公布号 |
CN1675769A |
申请公布日期 |
2005.09.28 |
申请号 |
CN03819651.4 |
申请日期 |
2003.07.10 |
申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
M·H·R·兰克霍斯特;P·范德斯鲁伊斯;R·M·沃勒 |
分类号 |
H01L27/115;H01L21/8246;H01L21/02;G11C11/22;G11C11/36 |
主分类号 |
H01L27/115 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;梁永 |
主权项 |
1、一种铁电器件(10),其具有包括衬底(1)和铁电层(2)的主体(11),在远离衬底(1)的一侧为该铁电层(2)提供连接导体(3),该铁电层包含无氧铁电材料并用于形成有源电元件(4),其特征在于导电层(5)位于衬底(1)和铁电层(2)之间,该导电层形成该铁电层(2)的另外的连接导体(5),且作为该铁电层(2)与连接导体(3、5)中的至少一个形成肖特基结这一事实的结果,形成有源电元件(4)。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |