| 主权项 |
1.一种具源极退化架构之资料分割器,包括有:一具源极退化阻抗之共源极单元,用以提供输入讯号和产生该输入讯号之参考电压;以及一比较器单元,连结于该具源极退化阻抗之共源极单元,用以比较该输入讯号和该输入讯号之参考电压,输出一对应于该输入讯号之方波。2.如申请专利范围第1项之具源极退化架构之资料分割器,其中该具源极退化阻抗之共源极单元,系由两个金氧半场效应电晶体(metal oxide semiconductorfield-effect transistor--MOSFET)所构成。3.如申请专利范围第1项之具源极退化架构之资料分割器,其中该比较器单元,系由N-MOSFET所构成。4.如申请专利范围第1项之具源极退化架构之资料分割器,其中该具源极退化阻抗之共源极单元,包括有二个输入端和二个输出端。5.如申请专利范围第4项之具源极退化架构之资料分割器,其中该第一输入端为输入讯号源,并在第一输出端接上一并联电阻和一并联电容,得到一参考电压,以提供该比较器单元使用。6.如申请专利范围第4项之具源极退化架构之资料分割器,其中该第一输入端为输入讯号源,并在第一输出端接上一串联电阻和一并联电容,得到一参考电压,以提供该比较器单元使用。7.如申请专利范围第4项之具源极退化架构之资料分割器,其中该第二输入端系透过一电阻输入该输入讯号。8.如申请专利范围第1项之具源极退化架构之资料分割器,其中该具源极退化阻抗之共源极单元,更包括有一汲极电阻和一源极电阻。9.如申请专利范围第8项之具源极退化架构之资料分割器,其中该汲极电阻和该源极电阻之比为1:1。10.如申请专利范围第1项之具源极退化架构之资料分割器,更包括有一迟滞单元,用以减低该输入讯号在该参考电压附近之高频杂讯的影响,减少抖动(jitter)。11.如申请专利范围第10项之具源极退化架构之资料分割器,其中该迟滞单元系由两个电阻构成。12.如申请专利范围第10项之具源极退化架构之资料分割器,其中该迟滞单元系采用负回授方式,提供负向迟滞。13.如申请专利范围第10项之具源极退化架构之资料分割器,其中该迟滞单元系采用正回授方式,提供正向迟滞。14.一种具源极退化架构之资料分割器之讯号撷取方法,包括有:输入待处理之讯号;用具源极退化阻抗之共源极电路处理该输入讯号,同时获得一输出讯号和该输出讯号之参考电压;利用比较器处理该输出讯号和该输出讯号之参考电压,以输出一方波讯号;利用迟滞回授提供一准位移位电压,以减低该输出讯号在该参考电压附近之高频杂讯的影响;以及将该准位移位电压对该输出讯号产生相对应之直流准位偏移后,再和该输出讯号之参考电压比较,以获得一输出方波,并可降低抖动(jitter)。图式简单说明:第一图为习知利用串接电阻提供参考电压之电路图;第二图为习知利用接收讯号强度侦测(RSSI)电路和低通滤波器得到输入讯号的平均値当作参考电压之电路图;第三图为习知尖峰侦测方法(Peak detector method)系利用接收讯号强度侦测电路取得输入讯号之强度及降6dB当作参考电压之电路图;第四图为习知资料分割器电路之电路图;第五图为本发明之具源极退化架构之资料分割器之电路图;第六A、六B、六C、六D、六E和六F图为本发明之具源极退化架构之资料分割器之讯号时序图;及第七图为本发明之具源极退化架构之资料分割器之讯号撷取之流程图。 |
