| 发明名称 | Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 为了提供具有低缺陷密度并且弯曲小的III族氮化物形成的半导体衬底，本发明提供的工艺包括这样的步骤：在蓝宝石衬底(1)的C面((0001)面)上形成GaN层(2)；在其上形成钛膜(3)；在含氢气或含氢混合气体的气体环境中热处理衬底以在GaN层(2)中形成空隙；然后在GaN层(2’)上形成GaN层(4)。 | ||
| 申请公布号 | CN1219314C | 申请公布日期 | 2005.09.14 |
| 申请号 | CN02108126.3 | 申请日期 | 2002.03.27 |
| 申请人 | 日本电气株式会社;日立电线株式会社 | 发明人 | 碓井彰;柴田真佐知;大岛祐一 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L33/00;C30B25/02 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;方挺 |
| 主权项 | 1.一种制造由III族氮化物形成的半导体衬底的工艺，包括如下步骤：在基础衬底上形成含铂的金属膜，该基础衬底具有形成在基础材料上的III族氮化物第一半导体层，或该基础衬底包括III族氮化物第一半导体层，在空气的气体环境中对所述基础衬底进行热处理，以在所述III族氮化物第一半导体层中形成空隙，和在所述金属膜上形成III族氮化物第二半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||