发明名称 |
Resistiv arbeitender Speicher für Low-Voltage-Anwendungen |
摘要 |
Es werden neue Speicherzellen bereitgestellt, die zwei Elektroden aufweisen und eine dazwischen angeordnete Schicht aus einem aktiven Material, das Hexakisbenzylthiobenzol, Dichlordicyan-p-benzochinon und gegebenenfalls ein Polymer enthält. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Zellen bereitgestellt sowie die neue Verwendung einer Zusammensetzung, die als aktives Material für die Speicherzellen verwendet werden kann.
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申请公布号 |
DE102004004047(B3) |
申请公布日期 |
2005.09.08 |
申请号 |
DE200410004047 |
申请日期 |
2004.01.27 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SEZI, RECAI;WALTER, ANDREAS;ENGL, REIMUND;MALTENBERGER, ANNI;SCHUMANN, JOERG;WEITZ, THOMAS |
分类号 |
C09K11/06;G11C13/02;H01L21/8242;H01L27/28;H01L51/00;(IPC1-7):H01L51/20 |
主分类号 |
C09K11/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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