发明名称 校准基材上之对准标记位置的方法
摘要 一种判断基材是否正确地定位在半导体基材处理或测量机台中之基材支撑架上,以最佳化处理或测量基材的方法。本方法包括:提供一控制基材;提供复数个对准标记于此基材上;判断这些对准标记在控制基材上之归航位置(Homing Position)其中控制基材之位置对应于实际基材之最佳化处理或测量的归航位置;利用机台之基材传送及/或基材定位设备定期测试位于基材支撑架上之控制基材的位置;以及判断控制基材上之对准标记之位置相对于基材支撑架,是否偏离于可接受偏移范围外。
申请公布号 TWI238485 申请公布日期 2005.08.21
申请号 TW093137420 申请日期 2004.12.03
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陆景山;李馥夙;高建耀
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号12楼
主权项 1.一种测试基材在基材支撑架上之位置的方法,至少包括:提供一控制基材,其中该控制基材具有一第一对准标记以及一第二对准标记;提供该控制基材于该基材支撑架上之一归航位置;提供该控制基材于该基材支撑架上之一测试位置;以及测量该第一对准标记在该控制基材之该归航位置处与该第一对准标记在该控制基材之该测试位置处之间之一第一位移。2.如申请专利范围第1项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括测量该第二对准标记位于该控制基材之该归航位置处与该第二对准标记位于该控制基材之该测试位置处之间之一第二位移。3.如申请专利范围第1项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括判断该控制基材在介于该控制基材位于该归航位置与该控制基材位于该测试位置之间之一径向方位偏移。4.如申请专利范围第3项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括测量该第二对准标记位于该控制基材之该归航位置处与该第二对准标记位于该控制基材之该测试位置处之间之一第二位移。5.如申请专利范围第1项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,其中该第一对准标记与该第二对准标记于该控制基材上且实质上彼此呈直径相对关系。6.如申请专利范围第5项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括测量该第二对准标记位于该控制基材之该归航位置处与该第二对准标记位于该控制基材之该测试位置处之间之一第二位移。7.如申请专利范围第5项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括判断该控制基材在介于该控制基材位于该归航位置与该控制基材位于该测试位置之间之一径向方位偏移。8.如申请专利范围第7项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括测量该第二对准标记位于该控制基材之该归航位置处与该第二对准标记位于该控制基材之该测试位置处之间之一第二位移。9.如申请专利范围第1项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括:将该基材支撑架划分成一笛卡儿网格;当该控制基材位于该归航位置时,指定该第一对准标记于该笛卡充网格上之一第一组归航座标,以及该第二对准标记于该笛卡儿网格上之一第二组归航座标;以及当该控制基材位于该测试位置时,指定该第一对准标记之一第一组测试座标,以及该第二对准标记之一第二组测试座标;其中测量该第一位移之步骤至少包括判断介于该第一对准标记之该第一组归航座标与该第一组测试座标之间之一X/Y偏移。10.如申请专利范围第9项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括测量该第二对准标记位于该控制基材之该归航位置处与该第二对准标记位于该控制基材之该测试位置处之间之一第二位移。11.如申请专利范围第9项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括判断该控制基材在介于该控制基材位于该归航位置与该控制基材位于该测试位置之间之一径向方位偏移。12.如申请专利范围第9项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,其中该第一对准标记与该第二对准标记于该控制基材上且实质上彼此呈直径相对关系。13.一种测试基材在基材支撑架上之位置的方法,至少包括:提供一控制基材,其中该控制基材具有一第一对准标记以及一第二对准标记;提供该控制基材于该基材支撑架上之一归航位置;提供该控制基材于该基材支撑架上之一测试位置;测量该第一对准标记在该控制基材之该归航位置处与该第一对准标记在该控制基材之该测试位置处之间之一位移;以及比较该位移与由复数个可接受位移构成之一偏移范围。14.如申请专利范围第13项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括:判断该控制基材在介于该控制基材位于该归航位置与该控制基材位于该测试位置之间之一径向方位偏移;以及比较该径向方位偏移与由复数个可接受径向方位偏移所构成之一偏移范围。15.如申请专利范围第13项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,其中该第一对准标记与该第二对准标记于该控制基材上且实质上彼此呈直径相对关系。16.如申请专利范围第13项所述之测试基材在基材支撑架上之位置的方法,更至少包括:将该基材支撑架划分成一笛卡儿网格;当该控制基材位于该归航位置时,指定该第一对准标记于该笛卡儿网格上之一第一组归航座标,以及该第二对准标记于该笛卡儿网格上之一第二组归航座标;以及当该控制基材位于该测试位置时,指定该第一对准标记之一第一组测试座标,以及该第二对准标记之一第二组测试座标;其中测量该位移之步骤至少包括判断介于该第一对准标记之该第一组归航座标与该第一组测试座标之间之一X/Y偏移。17.一种重新校准基材于基材支撑架上之归航位置的方法,至少包括:提供一控制基材于该基材支撑架上之该归航位置;提供该控制基材于该基材支撑架上之一测试位置;判断在该归航位置处之该控制基材的一中心与在该测试位置处之该控制基材的该中心之间之一基材中心偏移;以及利用该基材中心偏移,重新校准该归航位置。18.如申请专利范围第17项所述之重新校准基材于基材支撑架上之归航位置的方法,更至少包括:将该基材支撑架划分成一笛卡儿网格;将一组归航中心位置座标指定给位于该控制基材之该归航位置处时该控制基材之该中心;以及将一组测试中心位置座标指定给位于该控制基材之该测试位置处时该控制基材之该中心;其中判断该基材中心偏移时,系使用该组归航中心位置座标与该组测试中心位置座标。19.如申请专利范围第18项所述之重新校准基材于基材支撑架上之归航位置的方法,更至少包括:提供一第一对准标记以及一第二对准标记于该控制基材上;当该控制基材位于该归航位置时,指定该第一对准标记于该笛卡儿网格上之一第一组归航座标,以及该第二对准标记于该笛卡儿网格上之一第二组归航座标;以及当该控制基材位于该测试位置时,指定该第一对准标记之一第一组测试座标,以及该第二对准标记之一第二组测试座标;其中判断该测试中心位置座标时,系利用该第一组归航座标、该第一组测试座标、该第二组归航座标以及该第二组测试座标。20.如申请专利范围第19项所述之重新校准基材于基材支撑架上之归航位置的方法,更至少包括判断该控制基材介于该控制基材位于该归航位置处与该控制基材位于该测试位置处之间之一径向方位偏移,其中判断该测试中心位置座标时,系使用该第一组归航座标、该第一组测试座标、该第二组归航座标、该第二组测试座标以及该径向方位偏移。图式简单说明:第1图系绘示一种具有对准标记之控制基材的上视图,其中此控制基材适用以实施本发明之方法的第一实施例。第2图系绘示依照本发明之方法的第一较佳实施例的一种划分成四个座标象限之基材支撑架的示意图,其中此基材支撑架经划分成四个象限以建立控制基材上之对准标记的归航x与y座标以及测试x与y座标。第3图系绘示基材支撑架之上视图,其中此基材支撑架上搁置有控制基材,并绘示出控制基材在基材支撑架上之归航位置(虚线部分),以及控制基材在基材支撑架上之偏移、测试位置(实线部分)。第4图系绘示依照本发明之方法的第一较佳实施例的一种统计制程控制曲线图,以监控控制基材上之对准标记在归航x与y座标与测试x与y座标之间的位置偏移。第5图系绘示一种具有对准标记之控制基材的上视图,其中此控制基材适用以实施本发明之方法的第二实施例。第6图系绘示基材支撑架之上视图,其中此基材支撑架上搁置有控制基材,并绘示出控制基材在基材支撑架上之归航位置(虚线部分),以及控制基材在基材支撑架上之偏移、测试位置(实线部分),更特别绘示出一种将基材传送及/或定位设备从偏移、测试位置重新校准回归航位置的技术。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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