| 发明名称 | 具降低粗糙度之电阻性存储元件 | ||
| 摘要 | 一种电阻性存储元件(144)、磁性随机存取存储器(MRAM)装置及其制造方法，其中薄氧化物层(132)位于该存储元件(144)的第一金属层(136)内。该薄氧化物层(132)包括氧单层。后续形成层(134/118/116)的粗糙度被减少，及该电阻性存储元件(144)的磁能力由使用在该第一金属层(136)内的薄氧化物层(132)加强。 | ||
| 申请公布号 | CN1653550A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN03802305.9 | 申请日期 | 2003.01.14 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | W·拉伯格 |
| 分类号 | G11C11/16 | 主分类号 | G11C11/16 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种电阻性存储装置之电阻性存储元件，其包括：第一金属层(136)、该第一金属层包括含至少一磁性金属层的第一金属部分(120)，第一薄氧化物层(132)位于该第一金属部分(120)上，及第二金属部分(134)位于薄氧化物层(132)上，该第二金属部分(134)包括许多磁性金属层；穿隧接点(118)；及第二金属层(116)，该第二金属层(116)包括许多磁性金属层。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||