锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法

摘要

本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法，属于单晶生长领域。特征在于：初始原料按Sr₃Ga₂Ge₄O₁₄的分子式均匀混合，在1130-1180℃预烧8-12小时，通过固相反应以去除CO₂；将取向确定的籽晶放在坩埚底部，再装入合成好的原料，然后将坩埚置于下降法生长炉中；在1400-1500℃以上熔化原料及籽晶顶部，生长界面温梯维持在30～40℃/cm，坩埚下降速度小于3mm/h。本方法温场稳定，工艺设备简单，操作方便，可将单只或多只坩埚放入下降炉内，同时生长不同形状和尺寸的单晶。

主权项

1.一种锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法，包括粉料的预烧合成、接种生长，其特征在于：(1)初始原料SrCO3、GeO2和Ga2O3，按Sr3Ga2Ge4O14分子式配料混合均匀；(2)混合粉料在1130-1180℃经8-12小时固相反应；(3)将晶种和合成料先后放入铂坩埚，并密封坩埚；(4)坩埚置于下降炉内接种、生长，炉温控制在1400-1500℃，生长界面温度梯度为30～40℃/cm，坩埚下降速率≤3mm/h。