多位元记忆细胞之参考位元稳定方法

摘要

本发明提出一种多位元记忆细胞之参考位元稳定方法，此参考位元稳定方法首先在多位元记忆细胞的制造过程中，预先将一个多位元记忆细胞中的一个第一位元程式化至适当之高准位状态。之后，再于使用时读取此多位元记忆细胞中，除前述之第一位元外的位元以做为参考位元。

主权项

1.一种多位元记忆细胞之参考位元稳定方法,适用于具有一第一位元与一参考位元的一多位元记忆细胞中,该多位元记细胞之参考位元稳定方法包括:在该多位元记忆细胞的制造过程中,预先将该第一位元程式化至一高准位的状态;以及于使用时读取该参考位元。2.如申请专利范围第1项所述之多位元记忆细胞之参考位元稳定方法,其中该多位元记忆细胞可包括NROM。图式简单说明:第1图绘示的是习知NROM之部分结构图。第2图绘示的是根据本发明之一较佳实施例之稳定参考记忆胞中资料储存的示意图。