| 发明名称 | 用于铜的低下压力抛光的组合物和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了适用于在至少小于20.68kPa的下压力下抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，该组合物包含1至15wt％的氧化剂，0.1至1wt％的非铁金属抑制剂，0.05至3wt％该非铁金属的配位剂，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的改性纤维素，0.05至10wt％的含磷化合物和0至10wt％的研磨剂，其中该含磷化合物可增加铜的去除。 | ||
| 申请公布号 | CN1644644A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200410082137.2 | 申请日期 | 2004.12.21 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | W·B·戈德堡;F·J·凯利;J·匡西;J·K·索;T·M·托马斯;王红雨 |
| 分类号 | C09K3/14;H01L21/304 | 主分类号 | C09K3/14 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.用于在至少小于20.68kPa的下压力下抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，该组合物包含1至15wt％的氧化剂，0.1至1wt％的非铁金属抑制剂，0.05至3wt％的该非铁金属的配位剂，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的改性纤维素，0.05至10wt％的含磷化合物和0至10wt％的研磨剂，其中该含磷化合物可提高铜的去除。 | ||
| 地址 | 美国特拉华 | ||