发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
一种具有用于修复在制造之后发现的存储器缺陷的激光可编程熔丝的半导体器件,其中护圈和熔丝图案被设计为占用较少的芯片空间。该半导体器件具有与一个矩形护圈的纵轴平行延伸的熔丝图案,以及从该熔丝图案分支并且在与该轴的方向相垂直地从该护圈引出的图案。该半导体器件还具有多个存储单元阵列,每个存储单元阵列连接到一个用于接收和发送存储器信号的I/O端口。这些阵列之一被作为用于修复目的的存储单元阵列。该器件进一步具有开关电路,用于切换该I/O端口和存储单元阵列之间的连接,选择该I/O端口的缺陷存储单元阵列或包括冗余存储单元在内的它们的相邻存储单元阵列。 |
申请公布号 |
CN1210803C |
申请公布日期 |
2005.07.13 |
申请号 |
CN03110564.5 |
申请日期 |
2003.04.10 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
牧康彦 |
分类号 |
H01L27/04;H01L23/525;H01L21/82;H01L21/768;B23K26/00 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
朱海波 |
主权项 |
1.一种具有用于修复所发现的缺陷的熔丝的半导体器件,其中包括:护圈;在与所述护圈的纵轴相平行方向上延伸的熔丝图案;从所述熔丝图案分支并且在与所述护圈的纵轴相垂直的方向上从所述护圈引出的n个分支图案;n+1个存储单元阵列,第n+1个存储单元阵列为冗余存储单元阵列;n个用于接收和发送存储器信号的输入/输出端口;n个开关电路,其通过所述n个分支图案连接到在所述熔丝图案上的不同点,并切换所述输入/输出端口与存储单元阵列之间的连接,第i个开关电路根据所述熔丝图案的哪段被烧断而选择第i个存储单元阵列或第i+1个存储单元阵列,其中i=1…n。 |
地址 |
日本神奈川 |