半导体装置之制造方法

摘要

以往在使 Ti 与设在矽基板表面之硼的扩散领域接触以作为阻障金属层时，硼会为矽化钛所吸收，而有接触电阻增加之问题。虽有追加注入为矽化钛所吸收之份量之方法，但在例如 p通道型追加注入源极领域的硼时，会有在扩散步骤中追加份的硼会扩散较深，而使特性劣化之问题。本发明系于元件领域形成后，以元件领域之 1成左右的剂量于全面追加注入硼，再藉由阻障金属层之合金化处理使之在矽基板附近活性化。藉此，可维持预定元件领域之浓度分布，并仅使表面附近的杂质浓度提高。因而，即使硼为矽化钛所吸收，元件领域亦可维持预定之硼浓度，而可抑制接触电阻之增大。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,系包含在半导体基板表面形成由p型杂质扩散领域及n型杂质扩散领域所构成之元件领域,并形成透过连接孔而至少与前述p型杂质扩散领域接触之高熔点金属层的步骤之半导体装置之制造方法,其特征为:在前述元件领域形成后,将p型杂质注入前述连接孔,再形成前述高熔点金属层。2.一种半导体装置之制造方法,具备:在半导体基板上形成汲极领域、闸极电极、源极领域、躯接触领域而形成元件领域,并在该元件领域上形成具有与金属配线层的连接孔之层间绝缘膜之步骤;将p型杂质注入前述连接孔之步骤;形成透过前述连接孔而至少与前述源极领域及躯接触领域接触之高熔点金属层的步骤;以及在前述高熔点金属层上形成金属配线层之步骤。3.一种半导体装置之制造方法,具备:在半导体基板上形成p型汲极领域,在该汲极领域表面形成n型通道层,并形成隔着绝缘膜而该通道层相接之闸极电极之步骤;在前述通道层表面形成p型源极领域及n型躯接触领域而形成元件领域,并在该元件领域上形成具有与金属配线层的连接孔之层间绝缘膜之步骤;将p型杂质注入前述连接孔之步骤;形成透过前述连接孔而与前述源极领域及躯接触领域接触之高熔点金属层之步骤;以及在前述高熔点金属层上形成金属配线层之步骤。4.一种半导体装置之制造方法,具备:在半导体基板上形成n型汲极领域,在该汲极领域表面形成p型通道层,并形成隔着绝缘膜而与该通道层相接之闸极电极之步骤;在前述通道层表面形成n型源极领域及p型躯接触领域而形成元件领域,并在该元件领域上形成具有与金属配线层的连接孔之层间绝缘膜之步骤;将p型杂质注入前述连接孔之步骤;形成透过前述连接孔而与前述躯接触领域及源极领域接触之高熔点金属层之步骤;以及在前述高熔点金属层上形成金属配线层之步骤。5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置之制造方法,其中,前述高熔点金属层系包含钛。6.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置之制造方法,其中,前述p型杂质系硼。7.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中,前述p型杂质系以前述源极领域之杂质浓度的十分之一程度之剂量注入。8.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中,前述p型杂质系以前述躯接触领域之杂质浓度的十分之一程度之剂量注入。9.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置之制造方法,其中,前述p型杂质之离子注入系以该杂质之浓度分布的峰値位在从前述基板表面起1000程度以下之浅领域之方式进行。10.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置之制造方法,其中,前述p型杂质系以41014cm-2至11015cm-2程度之剂量注入。图式简单说明:第1图系用以说明本发明之半导体装置之剖面图。第2图(A)至(C)系用以说明本发明半导体装置之制造方法的剖面图。第3图(A)至(C)系用以说明本发明半导体装置之制造方法的剖面图。第4图系用以说明本发明半导体装置之制造方法的剖面图。第5图系用以说明本发明半导体装置之制造方法的剖面图。第6图系用以说明本发明半导体装置之制造方法的剖面图。第7图系用以说明本发明之半导体装置之特性图。第8图系用以说明本发明之半导体装置之特性图。第9图(A)及(B)系用以说明本发明半导体装置之测定方法之概要图。第10图(A)及(B)系用以说明本发明半导体装置之测定方法之概要图。第11图(A)及(B)系用以说明本发明之半导体装置之特性图。第12图系用以说明本发明半导体装置之制造方法的剖面图。第13图系用以说明本发明半导体装置之制造方法的剖面图。第14图系用以说明本发明半导体装置之制造方法的剖面图。第15图系用以说明习知半导体装置之制造方法的剖面图。第16图系用以说明习知半导体装置之制造方法的剖面图。第17图系用以说明习知半导体装置之制造方法的剖面图。第18图(A)至(C)系用以说明进行硼之追加注入的半导体装置之制造方法的剖面图。