发明名称 显示装置
摘要 本发明系关于一种显示装置,电源线VL之宽度较狭窄,且可防止电阻大幅上升。本发明之显示装置系使电源线VL之一部分突出,而在该突出部分,装设有接触体26a、26b而连接第2电晶体21之汲极区域。由于将接触体26a、26b从电源线之主要电流通路移开,因此可减少电源线VL之电阻。
申请公布号 TWI235985 申请公布日期 2005.07.11
申请号 TW092113017 申请日期 2003.05.14
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 松本昭一郎
分类号 G09G3/36 主分类号 G09G3/36
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路80号6楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路80号6楼
主权项 1.一种显示装置,系具有复数电流驱动型之自发光元件,控制对该等自发光元件之电流而进行显示之装置,其特征为:具有设成对应各自发光元件,以控制从电源线到对应之自发光元件之电流的电流控制电晶体;该电流控制电晶体之一端和电源线在厚度方向配设于不同位置,经由接触体进行两者之连接,该接触体系从电源线突出之连接用部分与电源线连接;而由于设前述接触体,使电源线之供电流流过的部分之大小不会减少。2.如申请专利范围第1项之显示装置,其中,前述电流控制电晶体系薄膜电晶体,而将对闸极电极供给控制电压之闸极用线之一部分和前述电源线配设在厚度方向不同而以平面方式重叠之位置。3.如申请专利范围第2项之显示装置,其中,前述电流控制电晶体之另一端系藉由接触体而连接在对应之自发光元件,而前述闸极用线和前述电源线以平面方式配设在重叠之位置,由此迂回与前述自发光元件连接用之接触体。4.如申请专利范围第3项之显示装置,具有沿着前述电源线之细长多晶矽半导体层,前述连接用部分延伸到多晶矽半导体层之汲极区域上方,而在该处设有前述接触体。5.如申请专利范围第1项至第4项之任一项之显示装置,其中,前述电流控制电晶体具有沿着前述电源线之细长多晶矽半导体层,将该多晶矽半导体层两端部当作一对汲极区域,将该内侧当作一对通道区域,将中央部当作共通之源极区域,在一对通道区域上方介着闸极绝缘膜而配设有一对闸极,藉由连接线连接该一对闸极和前述电源线,该连接线系配设于厚度方向不同而以平面方式重叠之位置。图式简单说明:第1图系表示实施型态之构成之俯视图。第2图系表示实施型态之接触体26周边构成之剖视图。第3图系表示实施型态之接触体28周边构成之剖视图。第4图系表示像素电路构成之示意图。第5图系表示从电源线VL移开接触体时的效果之示意图。图中之A曲线表示先前技术,B曲线表示本发明之实施例
地址 日本